在X射线吸收谱中,什上飞阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。
然而,坊风TMDCs中的自旋-谷耦合导致了双层材料的自旋极化,在光学过程中也产生了极化。在单层TMDCs中,筝节晶体中心反演对称性的破坏和自旋轨道耦合(SOC)导致了自旋-谷耦合光学选择规则。
近年来,什上飞人们发现二维TMDCs中的非线性光学过程,如二次谐波(SHG)等,遵循与谷相关的光学选择规则,并具有高偏振度。坊风所有标尺代表10μm.f)根据层数绘制的这些样品的倍频DP振幅的比较。筝节插图显示了双对数图中斜率为2的功率相关倍频强度拟合线。
对于通常的2H相(AB堆叠)双层TMDCs,什上飞由于反演对称的存在,谷极化消失。通过对不同扭转角TMDCs材料和螺旋结构的研究,坊风发现层间耦合对谷相关SHG没有显著影响。
在圆偏振光激发下,筝节由于大的自旋-谷劈裂,在2H相WS2和WSe2双层膜中观察到了较大程度的圆偏振光极化。
什上飞插图显示了相应样本的明场光学图像。去除激发源后,坊风荧光发光体显示出明显的磷光。
筝节这些荧光发光体可作为发光层来制造蓝光和白光有机发光器件。此外,什上飞众所周知,需要InGaN层作为发射区的μLED自然会显示出明显的宽谱线宽度,这对于诸如绿色的长波长变得越来越严重。
更重要的是,坊风这种μLED的光谱线宽度已显着减小至25nm,这是迄今为止所报道的III型氮化物绿色μLED的最窄值。未经允许不得转载,筝节授权事宜请联系[email protected]。
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